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    1. CVD Chemical Vapor Deposition CVD真空氣相鍍膜
      CVD真空氣相設備
      側式真空氣相鍍膜設備

      LPMS CVD12

      側式真空氣相鍍膜設備

      • 不銹鋼真空反應罐,堅固耐用。真空管路採用不銹鋼連節,方便維護及保養。

      • 1.2米大直徑真空反應罐,單次鍍膜數量多, 也能滿足大型工件的鍍膜需求。

      • 側開式門設計便於取放產品與腔體清潔等維護作業。

      • 反應罐內置轉盤機構使產品在鍍膜過程中轉動,鍍層更均勻。

      • 使用數位LED真空計顯示工作真空度。

      • 操作簡易,可依實際需求變換自動 /手動操作模式。

      • 紅外線加熱圈,加溫速度快。

      • 採用高精度溫控裝置多段控溫,溫控精確。

      • 定時加熱、超溫報警和自動停止加熱等保護功能

      • 自診功能和各種故障報警。


      標籤:   派瑞林 Parylene 真空氣相沉積設備

      運用範圍

             真空氣相沉積設備是一種用於電子產品防水保護的鍍膜設備。工作時把含有構成薄膜元素的化合物(長鏈性高分子材料,一般為派瑞林Parylene)、單質氣體經過昇華、熱解後進入放置產品的真空反應室,借助空間氣相化學反應, 在產品表面上沉積生成0.1-100um的厚度均勻,無應力、優異的電絕緣性和防護性、防潮、防黴、防腐、防鹽霧的薄膜塗層。

          廣泛應用於:航空航太、電路板、LED 、磁性材料、感測器、矽橡膠、密封件、醫療器械、珍貴文物等領域產品的防水封裝與保護工藝中。



      產品規格

      設備總尺寸 ( 寬度 , 深度 , 高度 ) / 重量

      3000 mm x 1420 mm x 1620mm

      反應罐體外徑

      ?1210 mm x 1240 mm

      反應罐罐口尺寸

      890 mm x 1200 mm

      輸入電壓

      三相 380 VAC / 50 Hz

      設備最大功率

      15 Kw

      溫控分區

      6

      分解爐溫控範圍

      室溫至700℃

      昇華爐溫控範圍

      室溫到150℃

      原料門溫控範圍

      室溫到250℃

      製冷壓縮機功率

      1000 W

      製冷量

      887 W

      最低製冷溫度

      -90℃

      真空泵型號

      2RH 090C

      真空泵抽氣速率

      90 m3

      最大真空壓力

      ≤ 5 Pa

      真空泵電機功率

      3.7 KW (三相380VAC)

      真空泵電機轉速

      1440 R/Min

      控制系統

      10 ”人機介面,PLC 控制



      標籤:   派瑞林 Parylene 真空氣相沉積設備
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